• ORiONstar
    ORiONstar

    Графен все ближе к массовому производству

    image.jpg

    Кремний всегда ассоциировался с электроникой, но в будущем будут доступны и другие материалы, которые заменят кремний. С этой целью исследователи из Penn State провели работу по комбинированию графена и гексагонального нитрида бора (hBN).

    По данным phys.org, группа ученых разработала метод, с помощью которого удалось на тонком слое графена толщиной один или два атома разместить слой гексагонального нитрида бора с толщиной от нескольких до сотен атомов. В такой комбинации слоев могут быть созданы полевые транзисторы, которые могут применяться в высокочастотной электронике и оптоэлектронных устройствах. Утверждается также, что материал может использоваться для производства транзисторов в масштабах сопоставимых с кремниевыми пластинами, т.е. от 75 мм до 300 мм . Ранее ученые ограничивались более скромными масштабами. Для этого исследователи разработали способ крепления двух слоев. Процесс начинается с изготовления большой области унифицированного эпитаксиального графена. Далее слой выравнивается нанесением атомов водорода. И только потом наносится слой hBN.

    Несмотря на явный успех, до применения в промышленности могут потребоваться новые исследования, чем и намерены заняться ученые.

    image2.jpg

    Источник:

    Железо


    Sign in to follow this  
    Followers 0

    Sign in to follow this  
    Followers 0


    User Feedback


    There are no comments to display.



    Create an account or sign in to comment

    You need to be a member in order to leave a comment

    Create an account

    Sign up for a new account in our community. It's easy!


    Register a new account

    Sign in

    Already have an account? Sign in here.


    Sign In Now