Кремний всегда ассоциировался с электроникой, но в будущем будут доступны и другие материалы, которые заменят кремний. С этой целью исследователи из Penn State провели работу по комбинированию графена и гексагонального нитрида бора (hBN).
По данным phys.org, группа ученых разработала метод, с помощью которого удалось на тонком слое графена толщиной один или два атома разместить слой гексагонального нитрида бора с толщиной от нескольких до сотен атомов. В такой комбинации слоев могут быть созданы полевые транзисторы, которые могут применяться в высокочастотной электронике и оптоэлектронных устройствах. Утверждается также, что материал может использоваться для производства транзисторов в масштабах сопоставимых с кремниевыми пластинами, т.е. от 75 мм до 300 мм . Ранее ученые ограничивались более скромными масштабами. Для этого исследователи разработали способ крепления двух слоев. Процесс начинается с изготовления большой области унифицированного эпитаксиального графена. Далее слой выравнивается нанесением атомов водорода. И только потом наносится слой hBN.
Несмотря на явный успех, до применения в промышленности могут потребоваться новые исследования, чем и намерены заняться ученые.
Источник:
Железо
Комментариев нет
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователя
Войти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти